国金证券：存储拐点将至，新需求点亮曙光免费下载

敬请参阅最后一页特别声明 1 价格端，存储器价格已跌破历史最低位置（当前 DRAM 价格距离最高点下跌超 60%，部分料号现货价与合约价已经出现倒挂），价格潜在下跌空间较小。供给端，原厂库存开始减少，模组厂商库存逐渐见底，主动去库存效果明显。需求端，服务器新世代 CPU 的推出和 AI 需求增加，将提升 DDR5、HBM 等高性能产品及高密度模组的需求。我们认为存储价格有望逐渐接近下行周期底部，并看好 2023 年二三季度存储板块迎来止跌。 根据 IC Insights 的数据，2021 年 DRAM 在整个存储市场的市场份额约为 56%，Flash 闪存的市场份额约为 43%，其中 NAND 闪存为 41%，NOR 闪存为 2%，其他存储芯片（EEPROM、EPROM、ROM、SRAM）将会缓慢成长，但大幅抢占市场的可能性较小。 2024 年 NAND 市场规模有望达 684 亿美元，随着 NAND 原厂陆续缩减资本开支，NAND 产能正在逐渐收敛，库存去化正在进行。我们看好原厂和渠道的库存水位或在 23 年 Q2 或 Q3 见顶，NAND 价格出现弹性，2024 年 NAND市场有望实现复苏。目前 NAND 行业形成了三星、海力士、Solidigm、美光、铠侠、WDC 六家公司同台竞争的格局，2022Q3 的 CR3 达 65%，CR6 接近 95%，随着 WDC 与铠侠的合并谈判急速，我们预计未来行业集中度将进一步提高。美光、三星和海力士都有望在 23 年将产能转进 200 层以上，Solidigm 以及铠侠/WDC 将落后一世代的制程。3D NAND 解决了 2D 结构下“闪存缩放限制”的问题，大容量、高堆叠层数的 3D NAND 将是行业未来发展趋势。 2023 年全球 DRAM 市场规模有望达 596 亿，DRAM 厂商产能增加幅度收敛，DRAM 厂商扩产计划有所延后。数十年的大浪淘沙后，2022Q3 DRAM 市场 CR3 超过 95%，三星、海力士和美光分别占比 41%、29%和 26%。DRAM可分为主流DRAM和利基型DRAM ，随着国外大厂逐渐推出利基市场（三星21Q4 停产DDR2，预计23 年停产DDR3；海力士也计划停产 DDR3），国内厂商将迎来份额提升的机会。EUV 和 3D DRAM 或成未来趋势，从三大厂商的工艺制程上看，美光在制程上领先，三星在 EUV 的使用上领先。 2028 年 NOR Flash 市场规模有望达 61 亿美元，21-28 年 CAGR 达 14.4%，NOR Flash 十年低迷期已过，新应用的普及打开向上成长曲线。NOR Flash 凭借接口简单、轻薄、低功耗、系统总体成本更低、读取速度快等特点成为5G、TWS 蓝牙...